音讯称联发科推延引进 2nm，天玑 9500 芯片选用台积电 N3P 工艺
IT之家 1 月 5 日音讯，外媒 SamMobile 发文，泄漏联发科已逐渐将重心移向开发下一代天玑 9500 芯片，相关芯片将于今年底至明年初露脸。
开始联发科方案相关芯片选用台积电 2nm 工艺制作，但考虑到相关工艺价格昂扬，且苹果相同将在 M5 系列芯片中引进相关工艺占用产能，因而联发科出于本钱和产能考虑，挑选 N3P 工艺制作天玑 9500。
据介绍，台积电的 2nm 工艺引进了一种新的晶体管结构 —— 盘绕栅极（IT之家注：Gate-All-Around, GAA）。GAA 晶体管经过笔直摆放的水平纳米片，在四个旁边面围住通道，而前代的鳍式场效应晶体管（FinFET）仅能掩盖三面。GAA 晶体管具有更低的漏电率和更高的驱动电流，然后提升了功能。
而如今日玑 9500 将选用 N3P 工艺，尽管 N3P 的能效或许不如台积电新一代 2nm 制程节点，但仍然比天玑 9400 运用的 N3E 有所改进，具体来说，天玑 9500 据称将包含两个 Arm Cortex-X930 超大核和六个 Arm Cortex-A730 大核，频率将超越 4GHz，并支撑可扩展矩阵扩展（SME）。
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